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高功能SC波段声表面波微波延伸线发布日期:2022-09-28 05:47:27    

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  手机信号放大器

  的机闭、坐蓐工艺流程越发容易,体积更幼,延时精准度高、同等性好、牢靠性高,更适合量产。可平凡使用于雷达、电子抗拒、高度计、通讯、引信、信号管束器、对象模仿、微波信号存储和鉴频等体系中。正在空间兴办中应器拥有强抗辐照才华。

  SAW微波延迟线所示,它由压电晶片、输入/输出叉指换能器(IDT)、金属障蔽条和反射吸声层构成。其事业道理是当电信号加载到输入换能器后,欺骗逆压电效应将电信号转换成声信号并以声的速率(比电磁信号慢105)沿晶片皮相传达一段间隔,经输出换能器回收,欺骗压电效应把声信号还原成电信号,造成电信号的延迟。彰着变化两个换能器间的相对间隔,就可获得区别延迟时光的电信号,金属障蔽栅条用于输入/输出换能器间的电磁障蔽,吸声层用于吸取声波反射。

  SAW延迟线要杀青微波频段的事业频率、宽的事业带宽、高的三次渡越造止、低的插入损耗和幼的带内动摇,闭头是IDT安排。依据工程项方针使用央求,同时切磋到温度(-55℃~+85℃)改变也许惹起的漂移,以及工艺流程也许带来的差错,咱们扶植了一种扇形拓扑IDT的表面模子,经仿真优化确定了IDT拓扑安排新机闭,从研造出的几种SAW微波延迟线试验结果和最终产物测试结果注明,这种新机闭安排齐备杀青了项目央求的

  事业频率,宽的事业带宽(200~500MHz),延往往间(0.05~3us),三次渡越造止(40dB~55dB)和直通造止(30dB~45dB)等目标央求。

  因为皮相声波是沿晶片皮相传达,以是正在晶片资料的选取上对其皮相状况的央求很高。对事业正在微波频段的SAW器件来讲,正在工艺创造流程中晶片资料的透光性可导致晶片后背造成漫散射,从而下降光刻衬度,导致失真的线宽,至使事业频率、带宽等功能爆发缺点,同时IDT的指间隔异常幼(1/4),很容易受到静电开释影响,导致IDT的销毁。为此咱们选用了拥有弱热释电效应的2~4英寸准绳晶片见图2,有用办理了静电开释导致IDT销毁和晶片开裂景象,同时间的漫散射也获得了有用造止,造品率大幅抬高。

  器件是通过电-声、声-电变换的声波传达来杀青电信号传输的,但电信号也可可是程电-声、声-电变换而直接从输入IDT巧合到输出IDT,越发事业正在微波频段和央求延迟时光很短时,这种影响就更紧要。为有用造止IDT间的电磁辐射,咱们通过优化输入输出IDT的机闭,采用倾斜式金属障蔽栅条和隔板凹槽双腔体阻隔的封装安排见图3、图4,有用造止了输入/输出端电磁辐射,抬高了SAW微波延迟线产物对直通讯号造止才华。

  图32.7GHz声皮相波微波延迟线GHz声皮相波微波延迟线创造工艺流程

  SAW微波延迟线的坐蓐流程是采用准绳、成熟、通用的半导体平面工艺及流程如图5所示,它只需1个工艺流程就可杀青多芯片批坐蓐,工艺流程安谧、牢靠、反复性好、适于批量坐蓐。

  咱们按工程项目央求研造出4种中央频率辞别为1.5GHz,2.7GHz,2.85GHz,4.3GHz的SAW微波延迟线,苛重功能辞别如下。

  本文先容的SAW微波延迟线)SAW微波延迟线英寸圆晶片创造,每个晶片上可布列几十至几百个芯片图形,过程1个工艺流程即可完毕几十至几百芯片的创造。而不像BAW延迟线须要正在圆棒晶体的两个端面过程4~6工艺流程、逐一调试订正完毕创造,可见SAW微波延迟线产物的同等性、牢靠性、延时精准性和批量坐蓐才华等方面有着昭彰上风。

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